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マイクロギャップの絶縁破壊特性における印加電圧の立ち上がり時間の影響
マイクロギャップの絶縁破壊特性における印加電圧の立ち上がり時間の影響
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カテゴリ: 部門大会
論文No: 14-C-a2-1
グループ名: 【A】令和4年電気学会基礎・材料・共通部門大会
発行日: 2022/08/30
著者名: 比田 悠斗(兵庫県立大学), 三ツ橋 昂起(兵庫県立大学), 岡田 翔(兵庫県立大学), 上野 秀樹(兵庫県立大学)
キーワード: マイクロギャップ|絶縁破壊|dielectric|パルス電圧|立ち上がり時間|酸化亜鉛
要約(日本語): 近年,半導体の微細加工技術の発達により,電子機器内部の小型化が進んでいる.電子機器外部からのESD(静電気放電)により機器内部の故障が問題とされており,ESDからの保護にマイクロギャップ放電を用いることが考えられている.放電において急峻な立ち上がりのパルス電圧を印加することで放電開始電圧が増加することが知られているが,これまでの研究報告ではマイクロギャップ放電特性において印加パルス電圧の立ち上がり時間に関する報告は特に少ない.そこで本研究では短い立ち上がり時間(<100ns)を有するインパルス電圧を印加した際の、絶縁破壊電圧-ギャップ長特性を調査した.
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