MEMS応用を鑑みた真空アーク蒸着法によるNb添加したNd-Fe-B系磁石膜の作製

カテゴリ: 部門大会

論文No: 14-C-p1-4

グループ名: 【A】令和4年電気学会基礎・材料・共通部門大会

発行日: 2022/08/30

著者名: 大塚 鴻介(長崎大学), 山下 昂洋(長崎大学), 柳井 武志(長崎大学), 中野 正基(長崎大学), 福永 博俊(長崎大学)

キーワード: Nd-Fe-B|APG|MEMS|Ta

要約(日本語): すでに我々は,真空アーク蒸着法を用いた等方性Nd-Fe-B系磁石膜の作製を検討し,使用面積(例えば、5 mm角)より大きな領域に成膜し,端部を除去する事により,ヒステリシスループの二段化に伴う動作点での磁気特性の劣化を改善できることを報告した。本研究では,MEMSへの具体的な応用を鑑みて,10もしくは20 mm角までの使用面積を設定し,Nb添加が使用面積を広げた際にいずれの領域においても二段化の抑制に有効であることを見出したので報告する。

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