ジシクロペンタジエンの室温領域における絶縁破壊メカニズムに関する一考察

カテゴリ: 部門大会

論文No: 14-D-a2-3

グループ名: 【A】令和4年電気学会基礎・材料・共通部門大会

発行日: 2022/08/30

著者名: 松木 孝聡(九州工業大学), 濵砂 享平(九州工業大学), 小迫 雅裕(九州工業大学), 匹田 政幸(九州工業大学), 福本 直記(RIMTEC), 亀井 伸人(RIMTEC)

キーワード: ジシクロペンタジエン|エポキシ樹脂|機械的破壊過程|絶縁破壊|修正分子鎖モデル

要約(日本語): 筆者らは,次世代の電気絶縁材料としてジシクロペンタジエン(DCP)の絶縁破壊メカニズムについて検討してきた。これまで,室温においてDCPのEbの厚さ依存性の結果から,電子なだれ破壊理論で解釈を試みたが,推定された電子移動度μeや平均自由行程λが室温での高分子に対しては大きすぎる値となった。そこで本稿では,分子鎖の運動が電荷トラップにより活発となり,閾値以上の変位量で局所的に絶縁破壊が起こるとする修正分子鎖破壊モデルを仮定して,DCPの絶縁破壊機構を考察した。

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