集束陽子線描画を用いた印刷用スタンプによるa-IGZO-TFTの作製と評価

カテゴリ: 部門大会

論文No: 15-P-C-2

グループ名: 【A】令和4年電気学会基礎・材料・共通部門大会

発行日: 2022/08/30

著者名: 川村 恵矢(芝浦工業大学), 林 秀臣(エコデザイン推進機構), 関 宏範(芝浦工業大学), プッタラクサ ニテイポン(芝浦工業大学), 西川 宏之(芝浦工業大学)

キーワード: 印刷法|集束陽子線描画|TFT|IGZO

要約(日本語): IoT社会では低消費電力・低コストのセンサデバイスの作製法が求められる。a-IGZOは高電子移動度、低リーク電流という特性があり、a-IGZO-TFTは低消費電力かつ高機能なデバイスとして有望である。a-IGZO薄膜の簡便かつ低コストな成膜法として印刷法が提案されている。印刷法による成膜に用いるスタンプ作製工程においてマスクレス描画かつ高い直進性と反応性を持つ集束陽子線描画による作製プロセスを提案する。以前の報告では印刷法によるa-IGZO成膜を行う際に、スタンプパターンの転写が確認できない課題を確認した。本研究の目的は、印刷法によるa-IGZO薄膜形成におけるスタンプパターンの変更や基板処理条件を見直すことでTFTとして動作させる最適な条件を確立することである。

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