MnZnフェライトの周波数依存性がキャパシタンスキャンセレーションに与える影響

カテゴリ: 部門大会

論文No: 7-A-a1-5

グループ名: 【A】令和5年電気学会基礎・材料・共通部門大会

発行日: 2023/08/24

著者名: 高橋 翔太郎(秋田大学)，和田 圭二(東京都立大学)

キーワード: コモンモードインダクタ|複素透磁率|EMI|MnZnフェライト|浮遊容量

要約(日本語): 巻線間に生じる浮遊容量により,インダクタのインピーダンスは高周波領域において低下する。このため,小型のキャパシタを追加することで浮遊容量の影響をキャンセルする手法(キャパシタンスキャンセレーション)が提案されている。一方,MnZnフェライトは,高周波領域において透磁率が急激に変動し,インダクタインピーダンスの減少を招く。本研究では,MnZnフェライトを用いたフィルタインダクタにおいては,浮遊容量の影響をキャンセルしても,磁気特性が高周波減衰量を制限することを実験的に示す。

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