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【招待講演】MEMS応用のための高性能圧電単結晶薄膜のSi基板上への形成

【招待講演】MEMS応用のための高性能圧電単結晶薄膜のSi基板上への形成

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カテゴリ: 部門大会

論文No: 7-C-p1-1

グループ名: 【A】令和5年電気学会基礎・材料・共通部門大会

発行日: 2023/08/24

著者名: 吉田 慎哉(芝浦工業大学)

キーワード: 微小電気機械システム|MEMS|圧電薄膜|リラクサ系強誘電体材料

要約(日本語): 圧電薄膜を用いたMEMSアクチュエータは、小型で安価なハプティックデバイスなどへの応用が期待されている。通常、このアクチュエータには、圧電性能が比較的大きなチタン酸ジルコン酸鉛(PZT)の薄膜が用いられる。しかし、PZTセラミックスと比較したとき、その絶対的な発生力は小さい。したがって、より力強く効果的な触覚提示を行うためには、PZT薄膜を凌駕する圧電性能を有する新しい薄膜材料が求められている。_x000D_ 我々は、巨大圧電性を持つリラクサ系強誘電体単結晶に着目し、その単結晶薄膜のSi基板上へのスパッタ成膜法を開発している。そして、一般的なPZT多結晶薄膜の圧電性能と同等以上の性能が得られている。組成最適化などを行うことで、圧電性能のさらなる向上が期待される。

PDFファイルサイズ: 398 Kバイト

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