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低コストREBCO超伝導線材開発に向けたRENiO3導電性中間層のエピタキシャル成長と導電性評価

低コストREBCO超伝導線材開発に向けたRENiO3導電性中間層のエピタキシャル成長と導電性評価

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カテゴリ: 部門大会

論文No: 7-D-a1-4

グループ名: 【A】令和5年電気学会基礎・材料・共通部門大会

発行日: 2023/08/24

著者名: 坂本 龍哉(愛知工業大学),田岡 紀之(愛知工業大学),清家 善之(愛知工業大学),森 竜雄(愛知工業大学),一野 祐亮(愛知工業大学)

キーワード: 超伝導|薄膜|SrTiO3|エピタキシャル成長|PLD|GdNiO3

要約(日本語): 現状のREBCO超伝導線材は高価なためコストの低減が必要である。そこで、導電性酸化物を配向Ni基板上にエピタキシャル成長(エピ成長)させ、その上にYBCOをエピ成長させることで、超伝導線材の構造を単純化でき低コスト化が期待できる。本研究では新規導電性中間層材料探索を目的として、導電性酸化物RENiO3(RNO)に着目し、パルスレーザー蒸着(PLD)法によりSrTiO3基板上に成膜時の酸素圧力、ヒーター温度を変えてRNO薄膜を作製した。RNO薄膜がエピ成長する成膜条件と導電性について検討した。結果として、酸素圧力が同じ場合、ヒーター温度が高いほど抵抗が低い膜になる傾向があることが分かった。ここで得られたRNOエピ膜上にYBCOを成膜しエピ成長する条件を探索した。

PDFファイルサイズ: 649 Kバイト

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