【A部門論文賞受賞記念講演】MOD 法によるNb, Ta 添加VO2薄膜における相転移温度の低温化

カテゴリ: 部門大会

論文No: 7-D-a1-6

グループ名: 【A】令和5年電気学会基礎・材料・共通部門大会

発行日: 2023/08/24

著者名: 和田 英男(大阪工業大学)，扶川 泰斗(大阪工業大学)，小池 一歩(大阪工業大学)，豊田 和晃(寺崎電気産業)，河原 正美(高純度化学研究所)

キーワード: 有機金属分解 (MOD) 法|二酸化バナジウム (VO₂)|スマートウィンドウ|相転移温度|FDTD

要約(日本語): NbまたはTaをドープした二酸化バナジウム(VO₂)薄膜を有機金属分解(MOD)法によってr面サファイア基板上に成長した。成膜したVO₂薄膜の結晶性は、XRD、AFM、およびXPSによって評価され、モスアイ構造を有する多結晶微粒子が成長していることが確認された。また、光学的に測定された相転移温度は、1～3 mol%のNbおよび Taドーピングにより、61～39℃、57～47℃を示し、NbまたはTaイオンが徐々にVサイトに置換され、VO₂の相転移温度を低下させるのに効果的であることがわかった。さらに、VO₂薄膜へのFDTDシミュレーションを実施した結果、実測データと概ね一致することがわかった。

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