サブナノ秒インパルス発生器の実現に向けたパワーSiC MOSFETの活用

カテゴリ: 部門大会

論文No: 7-P1-D-5

グループ名: 【A】令和5年電気学会基礎・材料・共通部門大会

発行日: 2023/08/24

著者名: 佐藤 正騎(埼玉大学)，前山 光明(埼玉大学)，稲田 優貴(埼玉大学)

キーワード: インパルス発生器|マルクス回路|SiCMOSFET|ナノ秒パルス放電|活性種|パルスパワー

要約(日本語): 極短時間のパルスの放電により発生する低温プラズマは電極間の荷電粒子が衝突するまでの期間に大きなエネルギーを与えられることから、反応性の高いイオンやラジカルの生成に優れていることが知られている。放電により生成されたイオンやラジカルは空気処理や燃焼補助への応用が期待されており、近年特にナノ秒パルス放電を発生させるインパルス発生器へ注目が集まっている。本研究では、特に高電圧パルスの立ち上がり時間がナノ秒以下となるインパルス発生器の開発を最終的な目標とし、この基礎技術として高耐圧パワーSiC MOSFETを高速でスイッチングする手法について実験を行った結果を報告する。

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