トップゲート型a-IGZO-TFTへのポリマー絶縁膜の適用

カテゴリ: 部門大会

論文No: 7-P2-D-1

グループ名: 【A】令和5年電気学会基礎・材料・共通部門大会

発行日: 2023/08/24

著者名: 鬼崎 雄大(芝浦工業大学)，櫻田 祥也(芝浦工業大学)，関 宏範(芝浦工業大学)，Kosumsupamala Kunpisit(芝浦工業大学)，Nitipon Puttaraksa(芝浦工業大学)，西川 宏之(芝浦工業大学)

キーワード: IGZO|ポリマー絶縁膜

要約(日本語): 近年のIoT化に伴いデバイスに用いられるTFTの高速駆動、低消費電力化が求められている。a-IGZOは高い電子移動度と低いリーク電流を持つため、低消費電力・高速駆動が可能である。液相法により塗布したa-IGZOをTFTに用い、さらにフレキシブル化することでIoT社会に適した低コストなトランジスタが実現出来る。_x000D_ 本研究の目的は、作製の簡易化やフレキシブル化に有効なポリマーゲート絶縁膜をa-IGZO-TFTに適用することである。トップゲート型a-IGZO-TFTを作製するにあたりゲート絶縁膜として塗布型ポリマー絶縁膜および良質な絶縁膜である熱酸化膜(SiO2)を用いたa-IGZO-TFTの特性を比較した。

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