小メディアン径のtpPIを用いたtpPI/h-BNコンポジット絶縁材料の静電吸着法による作製

カテゴリ: 部門大会

論文No: 8-B-a2-1

グループ名: 【A】令和5年電気学会基礎・材料・共通部門大会

発行日: 2023/08/24

著者名: 土田 和史(豊橋技術科学大学)，川島 朋裕(豊橋技術科学大学)，村上 義信(豊橋技術科学大学)

キーワード: コンポジット絶縁材料|静電吸着法|六方晶窒化ホウ素|熱可塑性ポリイミド|熱伝導率|直流絶縁破壊強さ

要約(日本語): 高いh-BN含有率を有する熱可塑性ポリイミド(tpPI)/配向六方晶窒化ホウ素(h-BN)コンポジット材料を開発するために、tpPIのメディアン径を小さくし(D50:3μm)、 静電吸着法によりtpPI/配向 h-BN コンポジット材料を作製した。h-BN含有量は、tpPI/h-BN(12μm) コンポジット材料では85vol%まで増加した。作製した材料の電気・熱的特性を評価し、12μmのh-BN(pB12)の熱伝導率に対する直流絶縁破壊強さの傾きは45μmのh-BN(pB45)のそれと比べ大きくなった。

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