【招待講演】緑色発光InP/ZnSe/ZnS量子ドット薄膜の光学物性が及ぼすハイブリット発光デバイス特性への影響

カテゴリ: 部門大会

論文No: 8-D-a1-9

グループ名: 【A】令和5年電気学会基礎・材料・共通部門大会

発行日: 2023/08/24

著者名: 梶井 博武(大阪大学)，黄 毛蔚(大阪大学)，山田 真聖(大阪大学)，岡本 彬仁(大阪大学)，芦田 佑伍(大阪大学)，戸田 晋太郎(アルバック協働研)　國吉 望月(アルバック協働研)　近藤 正彦(大阪大学)

キーワード: 量子ドット|塗布型発光デバイス

要約(日本語): 塗布型量子ドット(QD)材料は次世代発光材料として注目されている。高分子材料を基盤とした塗布型有機発光デバイス(OLED)で検討されている素子構造の発光層部分を無機半導体量子ドットにおきかえることで、プリンテッド量子ドット発光ダイオード(QD-OLED)の作製が可能となり、有機EL技術と親和性が高い。本研究では種々のパラメータを変化させながらInP系QDを合成し、発光波長の制御を行った。本研究では、特に2重シェル構造のInP/ZnSe/ZnS QDの配位子やZnSe中間シェル層が光学特性に与える影響とQD-OLEDのデバイス特性の評価を行った成果を報告する。

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