MEMS応用を鑑みた二層セラミックス下地層付きSi基板上へのネオジム厚膜磁石の開発

カテゴリ: 部門大会

論文No: 2-P1-16

グループ名: 【A】令和６年電気学会基礎・材料・共通部門大会

発行日: 2024/08/26

著者名: 山口 明華(長崎大学), 山下 史宏(長崎大学), 山下 昂洋(長崎大学), 柳井 武志(長崎大学), 中野 正基(長崎大学), 福永 博俊(長崎大学), 永井 慧大(東京工業大学), 進士 忠彦(東京工業大学)

キーワード: MEMS|PLD法|ネオジム厚膜磁石|セラミックス下地層

要約(日本語): 本研究室では,PLD法を用いてSi基板上ガラス下地層付きネオジム厚膜磁石を作製し,MEMS応用の重要な技術となる微細着磁に成功した。しかし,ガラス層では粗大粒の飛散や層内部の空隙が観察され,ガラス層上磁石膜のJ-Hループの角型性は,既報の金属基板上の試料に比べ劣る。そこで,ガラスに比べ高いビッカーズ硬度と融点を持つアルミナを下地層として導入し酸化抑制の実現と,表面平滑性及び角型性の向上に至った。しかし,Al-O下地層は,熱処理後にSi基板内部からの機械的破壊を起こし,脆弱性が新たな課題となった。本研究では優れた堅牢性と磁気特性の両立を目指し,二層(ガラス/Al-O)下地層の開発を図った。

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