Siドープn-GaN薄膜の低温における電気的特性評価

カテゴリ: 部門大会

論文No: 2-P1-34

グループ名: 【A】令和６年電気学会基礎・材料・共通部門大会

発行日: 2024/08/26

著者名: 山路 理貴(鈴鹿工業高等専門学校), 横山 春喜(鈴鹿工業高等専門学校)

キーワード: GaN|ホール効果測定|不純物伝導

要約(日本語): 測定にはサファイアc面基板上に形成したSiドープn-GaNエピウェハを用いた。_x000D_ 移動度とシートキャリア濃度の測定はホール効果測定を用いて行い、測定温度を21K-300Kで変化させた。_x000D_ 移動度は、低温側で急激に低下し、散乱を考慮した理論結果と異なる振る舞いをした。_x000D_ また、シートキャリア濃度は温度の上昇に伴い増加するはずであるが、低温側でも上昇が観測された。この原因を明らかにするため、n-GaN膜厚が100nmになるように研磨し、シートキャリア濃度を測定した。その結果、低温での移動度の低下と、シートキャリア濃度の増加が不純物伝導の影響であることが分かった。

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