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【招待講演】塗布プロセスを用いた有機トランジスタメモリの作製と機能デバイス応用

【招待講演】塗布プロセスを用いた有機トランジスタメモリの作製と機能デバイス応用

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カテゴリ: 部門大会

論文No: 3-E-a1-4

グループ名: 【A】令和6年電気学会基礎・材料・共通部門大会

発行日: 2024/08/26

著者名: 永瀬 隆(大阪公立大学)

キーワード: 有機トランジスタ|不揮発性有機メモリ|溶液プロセス|フローティングゲートメモリ

要約(日本語): 有機集積回路やその応用デバイスの高機能化において、情報の記録や読み出しに不可欠な不揮発性有機メモリの開発が求められている。本講演では、著者のグループで開発した塗布型有機トランジスタメモリについて紹介する。高分子絶縁体と可溶性低分子半導体から成る塗布膜で生じる垂直相分離現象を介して電荷蓄積層を形成し、トップゲート高分子トランジスタに積層することで塗布プロセスを用いて有機フローティングメモリの作製が可能となる。有機半導体の電子特性や光学特性によってメモリ動作が変化し、光照射下で動作するメモリ特性や電気的に書込み消去が可能なメモリ特性を示す。一例としてイメージセンサとしての機能性について紹介する。

PDFファイルサイズ: 1,479 Kバイト

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