【招待講演】大口径窒化アルミニウム単結晶基板の開発とデバイス応用の進展

カテゴリ: 部門大会

論文No: 3-F-a1-3

グループ名: 【A】令和６年電気学会基礎・材料・共通部門大会

発行日: 2024/08/26

著者名: 久世 直洋(旭化成), Grandusky James(Crystal IS)

キーワード: 窒化物半導体|AlN|結晶成長|深紫外LED|深紫外レーザーダイオード|パワーデバイス

要約(日本語): 2010年より昇華法による窒化アルミニウム(AlN)単結晶基板の開発に取り組んできたが、昨年、直径4インチのAlN単結晶基板の開発に成功した。本発表では、これまでのAlN単結晶基板の開発経緯を簡単に振り返り、現在の大口径AlN単結晶基板の特徴(欠陥、熱伝導率、結晶性など)について報告する。さらに、高品質AlN単結晶基板によって実現されてきた短波長UV-C LEDやレーザーダイオードのデバイス応用例を示すとともに、今後省エネ化などを通してカーボンニュートラルに向けたAlN基板による高周波・パワーデバイス応用への期待を述べる。

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