【招待講演】アンモニアフリー高温MOCVD法を用いた窒化アルミニウム薄膜成長

カテゴリ: 部門大会

論文No: 3-F-a1-4

グループ名: 【A】令和６年電気学会基礎・材料・共通部門大会

発行日: 2024/08/26

著者名: 沈 旭強(産業技術総合研究所), 児島 一聡(産業技術総合研究所)

キーワード: AlN|アンモニアフリー|MOCVD

要約(日本語): 本講演では我々が開発したアンモニアフリー高温MOCVD法を用いAlNヘテロエピタキシャル成長の結果を報告する。主な内容について2つに分ける。1つは極性(0001)AlNのヘテロエピタキシャル成長で、もう1つは半極性(10-13)AlNのヘテロエピタキシャル成長である。これらのエピ膜の評価結果を詳しく報告する。

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