【招待講演】窒化アルミニウム薄膜の結晶極性制御とそのデバイス応用

カテゴリ: 部門大会

論文No: 3-F-a1-5

グループ名: 【A】令和６年電気学会基礎・材料・共通部門大会

発行日: 2024/08/26

著者名: 正直 花奈子(三重大学), 玉野 智大(三重大学), 秋山 亨(三重大学), 本田 啓人(大阪大学), 谷川 智之(大阪大学), 上向井 正裕(大阪大学), 片山 竜二(大阪大学), 三宅 秀人(三重大学)

キーワード: 窒化物半導体|AlN|極性|スパッタ成膜|アニール処理|

要約(日本語): 窒化物半導体AlNの最安定構造であるウルツ鉱構造は、c軸方向に反転対称性を欠き、Al極性とN極性を有する。従来のエピタキシャル成長法では、貫通転位密度(TDDs)を増加させることなくこれらの極性を積層方向に制御することは困難であった。我々は、AlNのスパッタリング成膜と対面高温アニール法(FFA)を組み合わせた手法により、TDDsの低いスパッタ・アニールAlNをc面サファイア基板上に作製する手段を発展させてきた。本研究では、c面サファイア基板上のスパッタ・アニールAlNにおける結晶極性を実現した。さらに、この結晶極性制御技術と焼結体AlNと金属Alターゲットを用いた2回のスパッタ成膜とFFAを組み合わせて、積層方向に極性を反転させたスパッタ・アニールAlNを作製した。

PDFファイルサイズ: 615 Kバイト