【招待講演】6G高周波デバイス応用に向けたInNのプラズマMOCVDによる結晶成長

カテゴリ: 部門大会

論文No: 3-F-a1-6

グループ名: 【A】令和６年電気学会基礎・材料・共通部門大会

発行日: 2024/08/26

著者名: 山田 永(産業技術総合研究所), 後藤 高寛(産業技術総合研究所), 熊谷 直人(産業技術総合研究所), 清水 鉄司(産業技術総合研究所), 井手 利英(産業技術総合研究所), 前田 辰郎(産業技術総合研究所), 王 学論(産業技術総合研究所), 榊田 創(産業技術総合研究所)

キーワード: InN|N2プラズマ|MOCVD|6G|III-nitride semiconductors|high frequency devices

要約(日本語): 概要:6G社会で要求される大容量・超高速(数10倍)・高感度・低消費電力(1/100)を満たす情報通信機器として電子移動度、飽和電子速度の高いInN系チャネル材料に着目している。N源としてN2プラズマをガス供給系に組み込んだMOCVD装置を開発し、NH3を用いた従来の熱分解MOCVDでは困難であったInN結晶成長を実現した。In金属フリー、低貫通転位密度、高効率PL発光、平坦性への取組などInN膜の特性について報告する。

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