【招待講演】中性粒子ビームエッチング技術を用いたVR/ARディスプレイ向けGaNマイクロLEDの開発

カテゴリ: 部門大会

論文No: 3-F-a1-7

グループ名: 【A】令和６年電気学会基礎・材料・共通部門大会

発行日: 2024/08/26

著者名: 王 学論(産業技術総合研究所), 大堀 大介(東北大学), 寒川 誠二(国立陽明交通大学(台湾))

キーワード: マイクロLED|GaN|中性粒子ビーム|VR|AR|ディスプレイ

要約(日本語): マイクロLEDディスプレイは次世代VR/ARディスプレイの最有力候補として期待されているが、その実現のためにはサイズ5μm以下の高効率マイクロLEDが必要である。マイクロLEDは一般にプラズマエッチングにより作製されるが、その場合、側面へのプラズマダメージにより、マイクロLEDの発光効率が5μm以下のサイズ領域において急激に低下することが大きな課題になっていた。我々は半導体材料の超低損傷加工が可能な中性粒子ビーム技術を用いたGaNマイクロLEDの作製技術の開発を進めている。最近では、この技術を用いて側面非発光再結合による発光効率低下の全くない3.5μm青色マイクロLEDの作製に成功した。本講演では、中性粒子ビーム法を用いたGaNマイクロLEDの最新の開発状況について説明する。

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