【招待講演】GaN電子デバイスの等価回路モデリングと電力変換器応用

カテゴリ: 部門大会

論文No: 3-F-a1-8

グループ名: 【A】令和６年電気学会基礎・材料・共通部門大会

発行日: 2024/08/26

著者名: 井手 利英(産業技術総合研究所)

キーワード: GaN|電子デバイス|等価回路|モデリング|スイッチング|

要約(日本語): GaNを主とした窒化物半導体デバイスは高速・高耐圧のスイッチングデバイスとして期待されており、近年商品化が進んでいる。GaNスイッチングデバイスを回路に組み込むためには回路設計の際に等価回路モデルが必要となる。等価回路に含まれる寄生素子の値を精確に見積もることでスイッチング損失やデッドタイム設計等をスムースに進めることが可能になる。ここではGaNデバイスを用いた等価回路モデリングの手法を紹介すると共に、回路応用として回路内で発生するリンギングノイズのメカニズムとその抑制にも等価回路モデリングが有効であることを示す。

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