【招待講演】革新的パワエレシステムの実現に向けた縦型GaNパワーデバイスの開発動向

カテゴリ: 部門大会

論文No: 3-F-a1-9

グループ名: 【A】令和６年電気学会基礎・材料・共通部門大会

発行日: 2024/08/26

著者名: 田中 亮(富士電機), 高島 信也(富士電機), 上野 勝典(富士電機), 稲本 拓朗(富士電機), 近藤 剣(富士電機), 江戸 雅晴(富士電機)

キーワード: GaN|半導体|パワーデバイス

要約(日本語): 本講演では、我々が目指す縦型GaNパワーデバイスのメリット、適用分野、目標特性と到達状況、技術課題について概説する。_x000D_ 当面の目標は、1200V耐圧のプレーナゲート型MOSFETでSiC-MOSFETよりも低抵抗を実現することである。小面積素子の特性としては、耐圧1200V、オン抵抗1.3mΩcm²を実現し、市販のSiC-MOSFETの特性を上回り得ることは実証出来ているが、イオン注入層の活性化向上と制御、MOSチャネル特性の制御・高移動度化、動作信頼性低下要因となるホールトラップの低減など、実用化に向けた技術課題がまだ多く残されている。最近の研究開発事例なども交えて概説する。

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