GaNパワー半導体を用いたIESパルスパワー電源の特性評価

カテゴリ: 部門大会

論文No: 4-F-a2-6

グループ名: 【A】令和６年電気学会基礎・材料・共通部門大会

発行日: 2024/08/26

著者名: 長尾 和樹(小山工業高等専門学校), 須貝 太一(長岡技術科学大学), 徳地 明(パルスパワー技術研究所), 江 偉華(長岡技術科学大学)

キーワード: 高電圧パルスパワー|誘導性エネルギー蓄積GaNパワー半導体

要約(日本語): ワイドバンドギャップ半導体の一つであるGaN半導体は,高速なターンオン/オフスイッチング速度,高い破壊電界強度な特徴を持つ。高い電子移動度な特長を持ち,これまでパルスパワー電源で用いられてきたSiとSiCパワーMOS半導体の良いところ取りした素子である。しかし,高速なターンオン/オフスイッチングは定格を超えるサージ電圧が発生,GaN FETの最大定格での動作にはまだ解決すべき課題が多い。本研究では,GaN FETの高速スイッチング特長を用いて開放スイッチとして用いた誘導エネルギー蓄積パルスパワー電源を作成,その出力特性を評価した。これまでパルスパワー電源で用いられてきたSiC MOS FETと比較すると優れたパルス特性とエネルギー効率を持つことが確認出来た。

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