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h-BNの配向が静電吸着法により作製したtpPI/配向h-BN コンポジット材料の熱伝導特性及び絶縁特性に及ぼす影響
h-BNの配向が静電吸着法により作製したtpPI/配向h-BN コンポジット材料の熱伝導特性及び絶縁特性に及ぼす影響
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カテゴリ:部門大会
論文No:3-A-a1-2
グループ名:【A】令和7年電気学会基礎・材料・共通部門大会
発行日:2025/8/27
タイトル(英語):
著者名:宮地 佑汰(豊橋技術科学大学),佐藤 佑介(豊橋技術科学大学),松原 瑞樹(豊橋技術科学大学),佐藤 孝政(豊橋技術科学大学),村上 義信(豊橋技術科学大学),川島 朋裕(豊橋技術科学大学)
著者名(英語):
キーワード:静電吸着法,熱可塑性ポリイミド,六方晶窒化ホウ素,X線解析,熱伝導率
要約(日本語):静電吸着法により、熱可塑性ポリイミド(tpPI)/配向マイクロ六方晶窒化ホウ素(h-BN)複合絶縁材料を作製し、h-BN粒子の配向方向が熱的・電気的特性に及ぼす影響を調査した。h-BNは厚さ方向に対して垂直(CMV)、平行(CMP)、斜め(CMO)に配向させた。X線回折強度比(100)/(002)の増加に伴い熱伝導率は向上し、面内配向が促進された。直流絶縁破壊の強さはCMV > CMO > CMPの順に高く、h-BN含有量の増加でこの傾向は顕著となった。これはtpPI/h-BN界面が電界方向と平行に配列することで電気的弱点となったためと考えられる。
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