低角度H3+イオンビーム照射によるPTFEの表面改質

カテゴリ：部門大会

論文No：3-P1-10

グループ名：【A】令和７年電気学会基礎・材料・共通部門大会

発行日：2025/8/27

タイトル(英語)：

著者名：横川 稔弘(工学院大学)，鷹野 一朗(工学院大学)

著者名(英語)：

キーワード：PTFE,イオンビーム,表面改質,表面粗さ

要約(日本語)：次世代の高周波用基板材料としては,比誘電率や誘電正接の小さいポリテトラフルオロエチレン(PTFE)が最適であるとされているが,配線となる銅との付着性に劣ることが課題である。一般にPTFEのような安定物質においては,凹凸を用いた物理的な接着と分子レベルでの接着を主体とする化学的な方法があるが,高周波用基板では伝送損失の影響から表面の平滑性が求められる。そのため,PTFE表面を粗面化させずに化学的に付着性を上げることを目的にイオンビームを用いた。本研究では,H₃⁺イオンビームによって,PTFEの表面粗さと接触角の低下が確認された。

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