DLC成膜用炭化水素ガスの有効利用を目的とした低圧高周波Ar/CH4プラズマ特性の数値解析

カテゴリ：部門大会

論文No：3-P1-11

グループ名：【A】令和７年電気学会基礎・材料・共通部門大会

発行日：2025/8/27

タイトル(英語)：

著者名：植松 優(千葉工業大学)，佐藤 瑞起(千葉工業大学)，上坂 裕之(岐阜大学)，小田 昭紀(千葉工業大学)

著者名(英語)：

キーワード：シミュレーション,低圧プラズマ,プラズマCVD,ダイヤモンドライクカーボン

要約(日本語)：プラズマCVD法は, 低温で均一に薄膜を成膜できる利点から様々な成膜プロセスに利用されている. DLC成膜などの炭化水素ガスを原料ガスとした成膜プロセスでは, 温室効果ガスである原料ガスが未反応のまま排気されることが問題となっている. 本報告では, プラズマ中の原料ガスを成膜プロセスに有効利用することを目的として, 低圧高周波Ar/CH4プラズマを対象に, ガス流量を変化させた際の成膜に寄与する粒子の基板への入射量やプラズマから排気される粒子について数値解析を行ったので報告する.

PDFファイルサイズ：302Kバイト