長時間部分放電曝露による部分放電発光分布と浸食量分布構造の相関

カテゴリ：部門大会

論文No：3-P1-27

グループ名：【A】令和７年電気学会基礎・材料・共通部門大会

発行日：2025/8/27

タイトル(英語)：

著者名：竹内 健(三重大学)，中村 陽央(三重大学)，青木 裕介(三重大学)，小迫 雅裕(九州工業大学)，匹田 政幸(九州工業大学)，伊藤 大貴(東芝産業機器システム)　大山 公(東芝産業機器システム)，中前 哲夫(東芝産業機器システム),　前田 照彦(東芝産業機器システム), 尾崎 多文(東芝産業機器システム)

著者名(英語)：

キーワード：欠陥,部分放電,絶縁寿命,V-Qリサジュー法

要約(日本語)：高電圧機器における絶縁材料の内部欠陥(ボイド)で発生する部分放電(PD)は材料内部の劣化を促進し、最終的に絶縁破壊を引き起こす主な要因となる。本研究では、PETを対象とし、ボイド欠陥模擬構造を用い、長時間にわたる放電曝露試験を実施し、ボイド内部に注入される放電エネルギーと浸食構造の深さとの関係を評価することで、絶縁寿命の予測を行った。放電エネルギーはV-Qリサジュー法を用いて正確に評価した。その結果、課電時間の経過に伴い放電活動が変化し、それに伴い浸食構造も変化した。さらに、PD時に生じる発光現象に着目し、発光分布と浸食構造の関係を詳細に調査した結果、発光の変化と放電活動や劣化の進行状態には相関があることが確認された。

PDFファイルサイズ：339Kバイト