ポリジメチルシロキサン系複合材料の部分放電暴露時の化学構造変化

カテゴリ：部門大会

論文No：3-P1-33

グループ名：【A】令和７年電気学会基礎・材料・共通部門大会

発行日：2025/8/27

タイトル(英語)：

著者名：山上 稔貴(三重大学)，青木 裕介(三重大学)，菊田 晋介(TMEIC)，岡本 徹志(TMEIC)

著者名(英語)：

キーワード：ポリジメチルシロキサン,放電劣化,FTIR

要約(日本語)：本研究では、ポリジメチルシロキサン(PDMS)系複合材料における材料構造と耐部分放電特性との関係を解明することを目的とし、一定の放電エネルギーに曝された試料表面の構造変化を解析した。試料には、球状電極/ガラス板/空間/PDMS膜/電極からなる積層構造を用い、放電エネルギーはV–Qリサージュ法により定量化し、放電曝露後のPDMS表面の化学構造変化は、フーリエ変換赤外分光法(FTIR)により評価した。特に、放電中心からの距離および放電エネルギーとの関係に着目し、PDMS主鎖に由来するSi–O–Si架橋構造および、側鎖の熱分解や酸化により生成されるC=O基のピーク強度の変化を距離依存的に比較・考察した。

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