CF4レス(高周波+直流)吸引プラズマを用いたSiエッチングレートの向上実験

カテゴリ：部門大会

論文No：3-P1-7

グループ名：【A】令和７年電気学会基礎・材料・共通部門大会

発行日：2025/8/27

タイトル(英語)：

著者名：鈴木 博登(茨城大学)，大村 由也(茨城大学)，佐藤 直幸(茨城大学)，岩瀬 千克(三友製作所)

著者名(英語)：

キーワード：ICP高密度化,DCDP,Siウェハエッチング

要約(日本語)：最近のPFAS問題に対応すべく,グリーンプロセスの一環として,ICD(誘導結合放電)吸引プラズマへDCDP(直流放電プラズマ)を重畳することで,より少ないCF4ガスの供給でも従来と変わらないSiウェハのエッチングレートを保てる装置を開発している.生成電力増加によりICP高密度化に向かうとプラズマ発散が問題となる中,直流プラズマ中の高密度な電子をパルス状熱的に補うことにより,ハイブリッド放電構造による混合プラズマの局所生成に成功している.その結果,同じCF4流量でのDCP重畳前に比べて3倍以上のエッチングレートを達成している.今回は,貴学会A部門初めての講演申し込みであり,準備的実験状況を報告する.

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