Effects of Temperature on the Dynamic Performance of 1.2kV, 32A SiC-Based Dual Active Bridge DC-DC Converter

カテゴリ：部門大会

論文No：343

グループ名：【B】令和7年電気学会電力・エネルギー部門大会

発行日：2025/9/5

タイトル(英語)：Effects of Temperature on the Dynamic Performance of 1.2kV, 32A SiC-Based Dual Active Bridge DC-DC Converter

著者名：Jamlick Murimi Kinyua（Nagoya Institute of Technology），青木睦（Nagoya Institute of Technology）

著者名(英語)： KINYUA JAMLICK MURIMI (Nagoya Institute of Technology), Mutsumi Aoki (Nagoya Institute of Technology)

キーワード：デバイス特性,寄生インダクタンス,温度,EMI,エネルギー損失,SiC MOSFET,Device Characteristics,Parasitic Inductance,Temperature,EMI,Energy Loss,SiC MOSFET

要約(日本語)：

PDFファイルサイズ：380Kバイト