弱反転動作を活用したCMOSべき乗変換ICの電源電圧の低減

カテゴリ: 部門大会

論文No: GS9-5

グループ名: 【C】2021年電気学会電子・情報・システム部門大会

発行日: 2021/09/08

タイトル(英語): Reducing Power Supply Voltage for CMOS Exponentiation Conversion IC that Utilizes Weak Inversion Operation.

著者名: 西山 直哉（東洋大学）,松井 文也（東洋大学）,佐野 勇司（東洋大学）

著者名(英語): Naoya Nishiyama (Graduate School of Science and Engineering,Toyo University.),Fumiya Matsui (Faculty of Science and Engineering,Toyo University),Yuji Sano (Faculty of Science and Engineering,Toyo University)

キーワード: 信号変換回路|弱反転|べき乗関数|非線形補正|低電源電圧|Signal conversion circuit|Subthreshold|Exponentiation function|Nonlinearity compensation|Low power supply voltage

要約(日本語): 各種素子の非線形性補正に適した「信号べき乗変換回路」をMOSFETの弱反転動作を活用した小規模回路により提案してきた。今回、6.3V必要となっていた電源電圧を、カレントミラー回路による入出力信号電圧の並列化により、マイコンチップに搭載可能な3.3Vに低減できた。また、最大利得値の制限を排除できる新しい乗算回路の提案により、最大べき指数値を2.9まで確保した。べき指数値が0.50~2.0の範囲において信号ダイナミックレンジを42.7 dBに拡大できることをシミュレーションにより確認した。

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