べき乗変換ICの低電源電圧化に向けた要素技術の開発

カテゴリ: 部門大会

論文No: GS9-6

グループ名: 【C】2021年電気学会電子・情報・システム部門大会

発行日: 2021/09/08

タイトル(英語): Developing Element Technique to Reduce Power Supply Voltage for CMOS Exponentiation Conversion IC utilizing Weak Inversion Operation

著者名: 松井 文也（東洋大学）,西山 直哉（東洋大学）,佐野 勇司（東洋大学）

著者名(英語): Fumiya Matsui (Faculty of Science and Engineering, Toyo University),Naoya Nishiyama (Graduate School of Science and Engineering, Toyo University),Yuji Sano (Faculty of Science and Engineering, Toyo University)

キーワード: 信号変換回路|サブスレッショルド|非線形補正|IoT|べき乗関数|Signal conversion circuit|Subthreshold|Nonlinearity compensation|IoT|Exponentiation function

要約(日本語): MOSFETの弱反転動作を活用したCMOSべき乗変換ICの電源電圧を，マイコンチップに搭載レベルまで低電圧化していく際に必要となる要素技術を開発した。べき乗変換ICにおいて，信号を対数変換した後にゲインを調節しつつ増幅し，最後に指数変換することによって，任意のべき指数値によるべき乗変換を実現している。電源電圧の低減に伴う電圧ゲイン可変量の低下を補償すべく，従来は縦積みしていた変換素子を負帰還により1差動対に縮小して入力信号電圧を半減した指数変換回路を提案した。回路シミュレーションにより動作確認したICを現在試作中である。

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