PTT正帰還回路の増幅機能発現に関する基礎的考察
PTT正帰還回路の増幅機能発現に関する基礎的考察
カテゴリ: 部門大会
論文No: GS9-7
グループ名: 【C】2021年電気学会電子・情報・システム部門大会
発行日: 2021/09/08
タイトル(英語): Basic consideration on the expression of amplification function of PTT with positive feedback circuit
著者名: 服部 哲郎(香川大学),川上 裕介(香川高等専門学校),田中 俊輝(近計システム),服部 史門(神戸大学),的場 修(神戸大学)
著者名(英語): Tetsuo Hattori (Kagawa University),Yusuke Kawakami (National Institute of Technology, Kagawa College),Toshiki Tanaka (Kinkei Systems Corporation),Shimon Hattori (Kobe University),Osamu Matoba (Kobe University)
キーワード: バイポーラ接合型トランジスタ|PPT|発光ダイオード|受光ダイオード|光結合素子増幅機能|Bipolar Junction Transistor|Photon Transport Transistor|Light Emitting Diode|Photo Diode|Opto-Coupling DeviceAmplification Function
要約(日本語): バイポーラ接合型トランジスタにはPNP型及びNPN型の2形態があり,N型半導体とP型半導体とを接合した2つのダイオードが更にベース層で接合した構造になっている。これに対して,1989年にIBM研究所のB. J. Van Zeghbroeckらは, 発光ダイオード(Light Emitting Diode, LED) と受光ダイオード (Photo Diode, PD) の光結合デバイスとして,ベース層のキャリアが光のみのPTT (Photon Transport Transistor) を発表した。後に,PTTは正帰還回路において増幅機能を有し,かつ極めて低ノイズのトランジスタ素子となることが理論的に示された 。本論文では,このPTT正帰還回路の増幅機能の発現に対して,LED,PDのVI(電圧電流)特性式を含む回路方程式と予備実験での実測値とに基づき,電子回路的観点からの分析と考察を行う。
PDFファイルサイズ: 532 Kバイト
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