酸化物半導体による集積メモリデバイスの新展開

カテゴリ: 部門大会

論文No: TC6-2

グループ名: 【C】2021年電気学会電子・情報・システム部門大会

発行日: 2021/09/08

タイトル(英語): Novel development of integrated memory devices by oxide semiconductor material

著者名: 小林 正治（東京大学）

著者名(英語): Masaharu Kobayashi (d.lab, School of Engineering, The University of Tokyo)

キーワード: 酸化物半導体|強誘電体|メモリ|機械学習|oxide semiconductor|ferroelectric|memory|machine learning

要約(日本語): 半導体の微細化の速度が鈍化してきている一方、AI・IoTの活況により高性能で高エネルギー効率なコンピューティングの重要性が増々高まってきている。昨今のヘテロジーニアスインテグレーションに見られるように、二次元的な半導体の微細化に加えて三次元集積化技術が技術革新の確かな方向性として認識されている。特に、大量のデータを用いる機械学習をハードウェア実装するにはメモリの大容量化とプロセッサ－メモリ間のデータ伝送の高効率化が必要である。この課題に対して私たちは配線層にトランジスタとメモリ要素をモノリシック集積する手法に注目している。そのための鍵となる技術が低温形成可能でかつ特性の優れた酸化物半導体である。本講演では酸化物半導体と抵抗変化型メモリ・強誘電体メモリの集積化技術とその応用に関する私たちの最新の研究内容を報告する。

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