強誘電体AlScN膜のメモリ応用

カテゴリ: 部門大会

論文No: TC6-3

グループ名: 【C】2021年電気学会電子・情報・システム部門大会

発行日: 2021/09/08

タイトル(英語): Ferroelectric AlScN film for memory application

著者名: 角嶋 邦之（東京工業大学）

著者名(英語): Kuniyuki Kakushima (Tokyo Institute of Technology)

キーワード: 強誘電体|AlScN|メモリメモリ

要約(日本語): 強誘電体AlScN膜は100uC/cm2を超える残留分極を示し、加えて低温プロセスや形成容易性などの利点を有し、強誘電体HfO2膜の次世代の強誘電体メモリ材料として期待されている。しかし強誘電体メモリに要求される薄膜化スケーリングで特性の劣化が確認されており、その要因の特定と解決法が求められる。本発表では強誘電体AlScN膜の研究の現状と展望について概説する。

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