弱反転動作するMOSFETの伝達特性に関する研究

カテゴリ: 部門大会

論文No: GS12-8

グループ名: 【C】2022年電気学会電子・情報・システム部門大会

発行日: 2022/08/24

タイトル(英語): Study on Transfer Characteristics of MOSFET Operating in Weak Inversion Region

著者名: 西山 直哉（東洋大学）,松井 文也（東洋大学）,佐野 勇司（東洋大学）

著者名(英語): Naoya Nishiyama (Graduate School of Toyo University),Fumiya Matsui (Graduate School of Toyo University),Yuji Sano (Graduate School of Toyo University)

キーワード: 弱反転|MOSFET|信号変換回路|べき乗関数|Subthreshold|MOSFET|Signal conversion circuit|Exponentiation function

要約(日本語): 入出力素子として一般的な各種センサやアクチュエータ等の非線形補正の補正に適した「べき乗変換回路」をMOSFETの弱反転動作を活用した小回路により提案し、CMOS ICにより試作して性能を確認してきた。 弱反転動作における信号の指数・対数変換精度によってべき乗変換ICの性能が決まるため、MOSFETの電流密度とバイアス条件について慎重に設計する必要がある。今回、ソース電圧を変化させた場合のMOSFETの弱反転領域の信号ダイナミックとS値等を詳細に解析することによって、MOSFETの最適動作条件に設定できたので詳細を報告する。