汎用CMOS ICプロセスを用いた熱電素子の設計

カテゴリ: 部門大会

論文No: GS2-1-5

グループ名: 【C】2023年電気学会電子・情報・システム部門大会

発行日: 2023/08/23

タイトル(英語): Thermoelectric Device Design Utilizing General-Purpose CMOS-IC Process

著者名: 佐藤 龍太郎（東洋大学）,佐野 勇司（東洋大学）

著者名(英語): Ryutaro Sato (Toyo University),Yuji Sano (Toyo University)

キーワード: ペルチェ素子|ゼーベック効果|長寿命|集積回路|CMOS|Peltier device|Seebeck effect|Long-lifetime|Integrated circuit|CMOS

要約(日本語): ペルチェ素子はペルチェ効果とゼーベック効果が同時に生じる素子であり、熱電冷却と熱電発電の両方に用いられている。実用化されているペルチェ素子は、多数の化合物半導体に半田付けされている配線金属を介して熱移動させる構造になっている。それ故、熱収縮により短寿命になるという課題があった。そこで著者らは長寿命化を目指し、ペルチェ素子を完全にモノリシック化する構造を考案し、汎用CMOSプロセスを用いてペルチェICを設計した。本発表においては、設計したモノリシックペルチェICの構造、および性能の設計値について報告する。