オーミック金属下半導体の特性評価法とその窒化物半導体への応用

カテゴリ: 部門大会

論文No: TC7-3

グループ名: 【C】2023年電気学会電子・情報・システム部門大会

発行日: 2023/08/23

タイトル(英語): Characterization method of semiconductors under Ohmic-metals and its application to nitride semiconductors

著者名: 瓜生 和也（北陸先端科学技術大学院大学/アドバンテスト研究所）,Deng Yuchen（北陸先端科学技術大学院大学）,Le Son Phuong（Linkoping大学）,鈴木 寿一（北陸先端科学技術大学院大学）

著者名(英語): K. Uryu (Japan Advanced Institute of Science and Technology/Advantest Laboratories Ltd.),Y. Deng (Japan Advanced Institute of Science and Technology),S. P. Le (Linkoping University),T. Suzuki (Japan Advanced Institute of Science and Technology)

キーワード: オーミックコンタクト|多端子ホール測定|窒化物系半導体窒化物系半導体|Ohmic contact|multi-probe Hall measurement|nitride semiconductor

要約(日本語): 一般に, 半導体表面に金属を堆積しただけでは, オーミックコンタクトは形成されないが, その後のアニールにより半導体中にドーピングが生じ, オーミックコンタクトが形成されると考えられている. このとき, オーミック金属下半導体のシート抵抗, キャリア密度・移動度は, オーミックコンタクト形成前から変化している. このようなオーミック金属下における半導体のシート抵抗測定方法は確立しているが, キャリア密度・移動度を評価することは困難であった. 本報告では, 我々が提案している多端子ホール測定によるオーミック金属下半導体の特性評価法について述べ,  この評価法をオーミック金属が形成された窒化物系半導体に応用した結果を示す. これにより, この系のオーミックコンタクト形成に分極ドーピングが大きく寄与していることを明らかにする.