GaNチャネルHEMT低コンタクト抵抗化のためのIII-V族ソース・ドレイン形成プロセス

カテゴリ: 部門大会

論文No: TC7-4

グループ名: 【C】2023年電気学会電子・情報・システム部門大会

発行日: 2023/08/23

タイトル(英語): Fabrication Process of GaN Channel HEMTs with III-V Regrown Source/Drain for Ultra-Low Contact Resistivity

著者名: 星 拓也（日本電信電話）,吉屋 佑樹（日本電信電話）,杉山 弘樹（日本電信電話）,中島 史人（日本電信電話）

著者名(英語): Takuya Hoshi (NTT Corporation),Yuki Yoshiya (NTT Corporation),Hiroki Sugiyama (NTT Corporation),Fumito Nakajima (NTT Corporation)

キーワード: GaNチャネルHEMT|再成長|InAs|GaAs|有機金属化学気相エピタキシ|GaN channel HEMTs|Regrowth|InAs|GaAs|MOVPE

要約(日本語): 100GHz超帯域の無線通信用途において、GaNチャネルHEMTのさらなる広帯域化は必須である一方、積極的にスケーリングした素子であってもInP系デバイスのそれに及んでいないのが現状である。今回、GaNチャネルHEMTのオーミックコンタクト抵抗の極限的な低減をめざした、S/D領域へのSiドープIII-As構造の再成長を実施し、そのプロセス上の課題と解決手法、および実際に作製したデバイスのDC特性について報告する。