ダイヤモンド//異種材料接合の高機能化合物半導体素子応用

カテゴリ: 部門大会

論文No: TC7-5

グループ名: 【C】2023年電気学会電子・情報・システム部門大会

発行日: 2023/08/23

タイトル(英語): Application of diamond//foreign material interfaces to advanced compound semiconductor electron devices

著者名: 重川 直輝（大阪公立大学）,香川 諒（大阪公立大学）,梁 剣波（大阪公立大学）,清水 康雄（東北大学）,大野 裕（東北大学）,永井 康介（東北大学）

著者名(英語): Naoteru Shigekawa (Osaka Metropolitan University),Ryo Kagawa (Osaka Metropolitan University),Jianbo Liang (Osaka Metropolitan University),Yasuo Shimizu (Tohoku University),Yutaka Ohno (Tohoku University),Yasuyoshi Nagai (Tohoku University)

キーワード: ダイヤモンド//異種材料直接接合|放熱基板|熱抵抗|GaN HEMT

要約(日本語): 高熱伝導率かつ絶縁性に優れるダイヤモンドを放熱基板とする「X-on-diamond」構造を用いることによりGaN HEMT等の化合物半導体素子の熱抵抗低減、素子特性向上が期待される。本講演では表面活性化接合法を用いたダイヤモンドと各種半導体との直接接合、特にダイヤモンドとの直接接合に依るGaN HEMTの放熱性改善、特性向上効果について議論する。