UVセンサー応用に向けた溶液塗布熱分解法による<em>β</em>相(Ga1-xInx)2O3薄膜の作製と評価

カテゴリ: 部門大会

論文No: GS4-1

グループ名: 【C】2024年電気学会電子・情報・システム部門大会

発行日: 2024/08/28

タイトル：UVセンサー応用に向けた溶液塗布熱分解法によるβ相(Ga_1-xIn_x)₂O₃薄膜の作製と評価

タイトル(英語): Fabrication and characterization of β-phase (Ga_1-xIn_x)₂O₃ thin films by a CSD method for the application in UV sensors

著者名: 堀部 彰人（大阪工業大学）,谷口 佳史（大阪工業大学）,宮嵜 愛美（大阪工業大学）,山崎 伊織（大阪工業大学）,小山 政俊（大阪工業大学）,廣芝 伸哉（大阪工業大学）,小池 一歩（大阪工業大学）

著者名(英語): Akito Horibe (Osaka Institute of Technology, Nanomaterials Microdevices Research Center),Yoshifumi Taniguchi (Osaka Institute of Technology, Nanomaterials Microdevices Research Center),Manami Miyazaki (Osaka Institute of Technology, Nanomaterials Microdevices Research Center),Iori Yamasaki (Osaka Institute of Technology, Nanomaterials Microdevices Research Center),Masatoshi Koyama (Osaka Institute of Technology, Nanomaterials Microdevices Research Center),Nobuya Hiroshiba (Osaka Institute of Technology, Nanomaterials Microdevices Research Center),Kazuto Koike (Osaka Institute of Technology, Nanomaterials Microdevices Research Center)

キーワード: 酸化ガリウム|酸化インジウム|酸化ガリウムインジウム|溶液塗布熱分解法|深紫外線センサー|Ga2O3|In2O3|(GaIn)2O3|Chemical solution deposition|deep UV sensor

要約(日本語): 約4.9eVのバンドギャップを有する酸化ガリウム（Ga₂O₃）は深紫外線センサーの候補材料として注目されている．これまで我々は塩化ガリウム水溶液を用いた溶液塗布熱分解法で，C面サファイア基板上にβ相Ga₂O₃薄膜を成膜することに成功している．深紫外線にはUV-A（320～400 nm），UV-B（280～320 nm），UV-C（100～280 nm）の波長領域があり，バンドギャップを制御できれば，これらの紫外線を選択的に検出できる可能性がある．
　本研究では，Ga₂O₃よりもバンドギャップの小さな酸化インジウム（In₂O₃）に注目し，溶液塗布熱分解法で(GaIn)₂O₃混晶薄膜を成膜した．さらにGa₂O₃と(GaIn)₂O₃薄膜に櫛形電極を形成し，深紫外線照射による光電流の応答を比較したので報告する．