MOS アナログ IC の能動負荷に導入したデジェネレーション抵抗の熱雑音抑圧効果の検討

カテゴリ: 部門大会

論文No: GS4-5

グループ名: 【C】2024年電気学会電子・情報・システム部門大会

発行日: 2024/08/28

タイトル(英語): Investigation of Thermal Noise Suppression Effect caused by Degeneration Resistor  introduced into  Active Loads in MOS analog ICs

著者名: 熊本 敏夫（大阪産業大学）,藤田 圭介（大阪産業大学）,廣瀬 千晃（協栄産業）,右田 学（協栄産業）,眞貝 哲也（協栄産業）

著者名(英語): Toshio Kumamoto (OSAKA SANGYO UNIVERSITY),Keisuke Fujita (OSAKA SANGYO UNIVERSITY),Chiaki Hirose (KYOEI SANGYO CO. , LTD.),Manabu Migita (KYOEI SANGYO CO. , LTD.),Tetsuya Shingai (KYOEI SANGYO CO. , LTD.)

キーワード: CMOS|アンプ|能動負荷|デジェネレーション抵抗|熱雑音

要約(日本語): CMOS ソース接地回路は種々のCMOSアナログ回路で使用される要素回路ブロックであり、用途に応じて低雑音化が必要となることも多い。バイポーラトランジスタのエミッタ端子と電源間に挿入するエミッタデジェネレーション抵抗と同様、MOSアナログ回路においてもMOSトランジスタのソース端子と電源間に挿入する抵抗は、デジェネレーション抵抗として、能動負荷の相互コンダクタンスを引き下げ、熱雑音を低減する効果がある。一方、MOSトランジスタ単体ではゲート長L、ゲート幅Wのサイズ調整で相互コンダクタンスを引き下げ、低雑音化することも可能である。ここではソースデジェネレーション抵抗の導入による熱雑音抑制効果を回路シミュレーションを用いて検証し、低雑音化の設計指針を検討した。