半導体製造プロセスの圧力制御における1DCAEに基づく開発

カテゴリ：部門大会

論文No：TC10-2

グループ名：【C】2025年電気学会電子・情報・システム部門大会

発行日：2025/8/20

タイトル(英語)：Development based on 1DCAE in pressure control of semiconductor manufacturing processes

著者名：瀧尻 興太郎（堀場エステック）,中川 篤志（堀場エステック）,吉元 洸人（堀場エステック）

著者名(英語)： Takijiri Kotaro (HORIBA STEC, Co., Ltd.),Nakagawa Atsushi (HORIBA STEC, Co., Ltd.),Yoshimoto Hiroto (HORIBA STEC, Co., Ltd.)

キーワード：半導体製造プロセス,モデルベース開発,圧力制御,PID制御,1DCAE,Semiconductor manufacturing process,Model based development,Pressure Control,PID control,1DCAE

要約(日本語)：半導体製造の原子層蒸着とエッチングでは，スループットを向上させるためにチャンバー内のウェーハの温度分布が重要となっている。温度管理にはウェーハ裏面の圧力制御が重要となっており，圧力の応答性および安定性が求められている。この圧力制御器が用いているが，装置の条件毎に目標応答を満たすよう調整が必要となっている。そのため現場での調整が必要となり，調整コストが発生している。このような制御パラメータの調整は半導体プロセスでは多く課題となっている。よって半導体装置での制御対象のモデル化を行い，シミュレーションを用いたモデルベース開発を行う事が重要となる。

本誌掲載ページ：411-415p

原稿種別：日本語

PDFファイルサイズ：637Kバイト