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Direct-Bonded Heterogeneous Integration (DBHi)技術の課題と進展

Direct-Bonded Heterogeneous Integration (DBHi)技術の課題と進展

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カテゴリ:部門大会

論文No:TC12-1

グループ名:【C】2025年電気学会電子・情報・システム部門大会

発行日:2025/8/20

タイトル(英語):Challenge of Direct-Bonded Heterogeneous Integration (DBHi)

著者名:渡邊 敬仁(日本アイ・ビー・エム株式会社)

著者名(英語): Takahito Watanabe (IBM Japan, Ltd.)

キーワード:チップレット,シリコンブリッジ,chiplet,Si bridge

要約(日本語):半導体スケーリングの限界と更なるコンピュータの性能向上に向け、チップレット技術が注目されている。その技術は多種多様で、再配線層を形成するエリアのサイズ、絶縁層の材質、ベースとなる基材の種類などが異なり、各社ユニークな構造を提案している。我々はサーバー向けの大きいPKGを取り扱っている事、カナダに組立の量産工場がある事などを背景に、Direct-bonded heterogeneous integration (DBHi)を開発した。DBHiはSi bridge技術の一つであるが、複数のSiチップとSi Bridgeチップを接続し、一つの大きなチップの複合体を最初に作るという特徴を持つ。Si同士の接続の為、CTEミスマッチを考慮する必要がなく、マイクロバンプの接続も容易に行う事が可能である。また、有機基板側にRDLやBridge層を形成する必要が無い事も特徴の一つである。本発表ではDBHi技術の製造方法における課題と技術の推移についてまとめ、今後の展開について報告する。

本誌掲載ページ:472-477p

原稿種別:日本語

PDFファイルサイズ:957Kバイト

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