スーパージャンクションMOSFET搭載電源のノイズメカニズム分析

カテゴリ: 部門大会

論文No: 45664

グループ名: 【D】2021年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2021/08/18

タイトル(英語): Analysis of Noise Mechanism of Power Supply with Superjunction-MOSFET

著者名: 安住 壮紀（東芝）,山下 浩明（東芝デバイス＆ストレージ）,溝口 健（東芝デバイス＆ストレージ）

著者名(英語): Takenori Yasuzumi (Toshiba Corp.),Hiroaki Yamashita (Toshiba Electronic Devices & Storage Corp.),Takeshi Mizoguchi (Toshiba Electronic Devices & Storage Corp.)

キーワード: スーパージャンクション|MOSFET|放射EMI|スイッチング|C-V特性|Superjunction-MOSFET|Radiation EMI|Switching|C-V characteristics

PDFファイルサイズ: 1,573 Kバイト