GaNパワーデバイス搭載インバータ基板のバスバー冷却構造による高放熱性とゲートインダクタンス低減

カテゴリ: 部門大会

論文No: 45670

グループ名: 【D】2021年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2021/08/18

タイトル(英語): Bus-bar Cooling Structure for Well-balanced Gate Inductance Reduction and Heat Dissipation in Inverter Circuits with GaN Power Devices

著者名: 澤田 高志（筑波大学）,只野 博（名古屋大学）,塩崎 宏司（名古屋大学）,磯部 高範（筑波大学）

著者名(英語): Takashi Sawada (University of Tsukuba),Hiroshi Tadano (Nagoya University),Koji Shiozaki (Nagoya University),Takanori Isobe (University of Tsukuba)

キーワード: 冷却|窒化ガリウム|放熱デザイン|Cooling|Gallium Nitride|Thermal design

PDFファイルサイズ: 524 Kバイト