FM-AFM/KFM/SCFMシステムによるSiC製パワー半導体デバイス動作の観測

カテゴリ: 部門大会

論文No: 45673

グループ名: 【D】2021年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2021/08/18

タイトル(英語): Operating Observation of SiC Power Device by FM-AFM/KFM/SCFM system

著者名: 土井 敦史（千葉工業大学）,佐藤 宣夫（千葉工業大学）,山本 秀和（千葉工業大学）

著者名(英語): Atsushi Doi (Chiba Institute of Technology),Nobuo Satoh (Chiba Institute of Technology),Hidekazu Yamamoto (Chiba Institute of Technology)

キーワード: 走査型プローブ顕微鏡|パワー半導体デバイス|ワイドバンドギャップ半導体|モスフェット|Scanning probe microscopy|Power semiconductor device|Wide band gap semiconductor|MOSFET

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