SiC-CMOSゲートドライバの高温動作時におけるSiCパワーMOSFETのスイッチング特性の一検討

カテゴリ: 部門大会

論文No: 1-49

グループ名: 【D】2021年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2021/08/18

タイトル(英語): A Study on Switching Characteristics of SiC Power MOSFET for High-Temperature Operation of SiC-CMOS Gate Driver

著者名: 八尾 惇（産業技術総合研究所）,岡本 光央（産業技術総合研究所）,加藤 史樹（産業技術総合研究所）,宝蔵寺 裕之（産業技術総合研究所）,佐藤 伸二（産業技術総合研究所）,山口 大輝（産業技術総合研究所）,安藤 拓司（産業技術総合研究所）,原田 信介（産業技術総合研究所）,佐藤 弘（産業技術総合研究所）

著者名(英語): Atsushi Yao (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)),Mitsuo Okamoto (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)),Fumiki Kato (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (A

キーワード: SiC-CMOS|ゲートドライバ|SiC MOSFET|高温動作|SiC-CMOS|Gate driver|SiC MOSFET|High temperature operation

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