p-GaNゲート横型トランジスタの短絡耐量評価

カテゴリ: 部門大会

論文No: 1-50

グループ名: 【D】2021年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2021/08/18

タイトル(英語): An Experimental Consideration of the Short Circuit Capability of p-GaN Gate Lateral Transistor

著者名: 只野 博（名古屋大学）,澤田 高志（筑波大学）,塩崎 宏司（名古屋大学）,磯部 高範（筑波大学）

著者名(英語): Hiroshi Tadano (Tokai National Higher Education and Research System Nagoya University),Takasi Sawada (University of Tsukuba),Koji Shiozaki (Tokai National Higher Education and Research System Nagoya University),Takanori Isobe (University of Tsukuba)

キーワード: 短絡耐量|窒化ガリウム|p-GaNゲート|Short Circuit Capability|Gallium Nitride|p-GaN Gate

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