SiC等ワイドギャップ半導体向けパワーモジュールパッケージの開発

カテゴリ: 部門大会

論文No: 1-52

グループ名: 【D】2021年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2021/08/18

タイトル(英語): Development of a power module package for wide-gap semiconductors such as SiC

著者名: 杉木 昭雄（大分デバイステクノロジー）,橋本 博典（大分デバイステクノロジー）,梅木 誠（大分デバイステクノロジー）

著者名(英語): Akio Sugiki (Oita device technology Co.,Ltd.),Hironori Hashimoto (Oita device technology Co.,Ltd.),Makoto Umeki (Oita device technology Co.,Ltd.)

キーワード: SiCパワーモジュール|低インダクタンス|高耐熱|SiC-MOSFET|SiC power module|Low inductance|High heat resistance|SiC-MOSFET

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